二、主要特点:
1. 本设备系统主要由主体腔室(反应腔)、冷却循环系统、气路系统和温度控制系统(带程序控制)四个主体部分组成。
2. 该装置采用环场加热方式对样品中心处进行加热,保证样品处的温度均匀;
3. 温度控制范围:最高使用温度1000℃,常用温度RT-900℃,温度控制精度:±1℃;
4. 样品台采用陶瓷加工而成,热电偶采用k 型铠装热电偶,置于样品正下方;
5. 装置采用kapton 膜作为X 射线光窗,能够承受不高于2 个大气压的气压条件和低真空环境;
6. X 射线采集角度为:10<2θ<160°;
7. 配备水冷系统,保证主体反应腔室的温度不高于60℃,保证实验的安全;